这项技术虽然没有大规模商业化，但已经有了雄厚的基础，在过去的二十年间，全球科学家围绕半导体纳米线开展了系统深入的研究，为半导体纳米线功能器件领域，带来了蓬勃发展。
根据e的检索结果统计，从1999年到2015年，全世界关于半导体纳米线研究i论文总数超过17万篇。
经过这些年的发展，大家对半导体纳米线的可控制备、性能调控、器件构筑与应用的认识不断加深。
半导体纳米线技术也渐渐在不同领域，展现了巨大应用潜力，正逐渐从基础研究走向实际应用。
目前，基于半导体纳米线的场效应管、纳米发电机、纳米芯片、场发射器件、太阳能电池、发光二极管、激光器、光电探测器、光波导器件、存储器件、光催化以及高敏感化学与生物传感器等功能器件，相继被研制出来。
虽然，这些仅仅是实验室产品，成本极高，并无法大规模商用。
它未来的潜力和价值，却是无法估量的。
特别是在半导体领域，半导体纳米线承载着全球科学家的期盼，有望实现半导体功能器件领域的变革性发展。
根据一些相关领域的大牛展望，半导体纳米线功能器件，或许将成为纳米科技走向应用的重要突破点。
对芯片、各种半导体器材而言，小型化、低能耗和智能化一直是其重要的发展趋势。
当半导体器件线宽小于100nm时，将对设备和制造工艺提出更高要求，成本增加巨大，传统工艺的局限性越严重。
而基于传统工艺的光刻机，从起初的uv光刻机水平，逐步提升到了duv光刻机水平，再发展到现在的euv光刻机水平，在这条路上越走越远。
设备越来越大，成本越来越高。
它还有一个致命的缺点，就是有自身的物理极限，发展到一定的地步，就无法再深入发展下去了。
众所周知，光刻机也称紫外线光刻机，是利用紫外线加工芯片，duv光刻机就是深紫外线光刻机，euv光刻机就是极深紫外线光刻机。
光的颜色越靠近红色，它的频率越低；越靠近紫色，它的频率就越高。光的速度是一个常数，频率越高，波长越小。
euv光刻机采用的光频率是极深紫外线频率，对应的波长大约为10~15纳米；duv光刻机采用的光频率是深紫外线频率，对应的波长大约为200纳米；uv光刻机采用的光频率是紫外线频率，其对应的波长大约为360纳米。
也就是说，光刻机越先进，需要的光频率越高。
光的频率，它是一个物理客观存在的数值，是很难通过人为的手段去改变提高的。
……
现在采用的是极深紫外线频率，很难再找到更高频率的光线，所以光刻机的水平也很难再被提升。
光刻机技术得不到提升，直接导致芯片的制造工艺得不到有效地提升，也让芯片的制造工艺不可能由14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这样一直小下去，它是有物理极限的。
另外，用光刻机制造芯片的原材料硅晶，也有他自身的材料极限。
硅晶的最小的单位“硅原子”直径大约为0.22纳米。
如今传统的芯片制造工艺，是不可能比硅原子还小，超过0.22纳米。这个也是它的一个物理极限。
……
也就是说，传统的芯片制造工艺有两大极限。
一个是制造芯片需要的光刻机设备，光刻机采用光的频率，它是有物理极限的。
另一个是制造芯片需要的硅材料。芯片内部的晶体管，做得再小，是不可能比硅原子还小的，这也是它的物理极限。
这两个条件，任何一个达到极限，传统的芯片制造工艺就不可能再进步了。
也就代表，以光刻机和硅晶为原料的芯片制造技术，这条路走到了尽头。
……
而以半导体纳米线为代表的新技术，相比传统的半导体技术，却没有这些限制。
它的极限，它的潜力，远不是如今的传统半导体技术所能相比的。
……
不过，尽管知道半导体纳米技术才代表着未来，以英特尔为首的半导体企业，却在这方面，浅尝辄止，主要精力仍然放在传统的半导体制造技术上。
主要原因有两个，一是作为一项新技术，想要在半导体纳米线领域趟一条路，打造一个完整的体系，需要天量的资金，和极长的时间，去突破那些技术壁垒。
而且，短时间内很难商业化，用市场回笼资金去推进技术发展，只能用传统半导体技术产生利润给它输血。
根据目前的半导体纳米线技术，制造出来的芯片和半导体元器件，大概只有九十年代末的水平。
和目前传统工艺的半导体制造技术，根本没有可比性。
另一方面，以英特尔为首的半导体企业，几十年来，在传统半导体制造技术上投入了大量的资源，拥有无可匹敌的雄厚基础和优势。
目前的半导体制造技术尚未达到极限，还有许多潜力可供挖掘，这个时间将是以十年为单位。
它们不可能放弃在这一体系的巨大技术优势和专利，几十年的雄厚积累，重新调转车头，大力推进半导体纳米线技术，和别的新兴企业站在同一起跑线上。
这是一个艰难的选择。
……
对林睿来说，就没有这方面的烦恼了。
本身星空研究院和中芯国际，在传统半导体领域就没有多
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